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IXKF 40N60SCD1
80
60
120
70
60
50
R G = 47 Ω
33 Ω
100
I F
50
40
I RM
40
30
22 Ω
10 Ω
t rr
80
60
t rr
[A]
30
20
10
0
0.0
T VJ =125°C
0.6
1.2
T VJ = 25°C
1.8
2.4
3.0
[A]
20
10
0
I RM
47 Ω
400
33 Ω
22 Ω
800
I F = 25 A
V R = 380 V
T VJ = 125°C
1200
40
20
0
1600
[ns]
V F [V]
Fig. 17 Typ. forward characteristics
of reverse diode
di F /dt [A/μs]
Fig. 18 Typ. reverse recovery characteristics of
antiparallel diode
60
6
35
50
R G = 10 Ω
V R = 380 V
5
30
I rr
[A]
40
30
20
T VJ = 125°C
I rr
Q rr
4
3
2
Q rr
[μC]
25
I F 20
[A] 15
10
T VJ = 125°C
150°C
10
1
5
T VJ = 25°C
0
0
10
20
30
40
50
0
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I F [A]
Fig. 19 Typ. reverse recovery characteristics
V F [V]
Fig. 20 Typ. forward characteristics of diode D S
0.5
0.4
MOSFET
2.5
2.0
Schottky Diode
FWD
Z thJH 0.3
[K/W] 0.2
0.1
Z thJH 1.5
[K/W] 1.0
0.5
0.0
1
10
100
t [ms]
1000
10000
0.0
1
10
100
t [ms]
1000
10000
Fig. 21 Typ. thermal impedance junction to heatsink
Z thJH of the MOSFET with heat transfer paste
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2011 IXYS All rights reserved
Fig. 22 Typ. thermal impedance junction to heatsink
Z thJH of the Diodes with heat transfer paste
20110201b
7-7
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